设备介绍
时间:2023-08-16电子束曝光设备
参 数 | 型 号 1 | 型 号 2,3 |
电子枪种类 | 高分辨率的热场(Schottky)发射源 | |
电子束加速电压 | 100kV | 最高可到30kV |
束电流大小 | 5pA – 200nA | 5pA – 20nA |
最小线宽分辨率 | 8nm(100μm写场) | 8nm |
写场拼接精度 | ≤ ±20nm(1000μm写场) | ≤±40 nm(mean+3σ) |
套刻精度 | ≤ ±9nm(100μm写场) | ≤±40 nm(mean+3σ) |
图形发生器扫描频率 | 125MHz | 20MHz |
样品支架 | 2寸,3寸,4寸,6寸 15mm×14mm,20mm×19mm,25mm×24mm,30mm×29mm | 2寸以下的碎片,尺寸和形状均无特殊要求。 |
套刻Marker要求 | 必须是刻蚀后400nm以上的台阶或者是厚度在60nm以上的Au | 无特殊要求,SEM下肉眼可见即可 |
开放模式 | 委托加工(暂行) | 所内用户培训后自己操作 |