中心具有的关键工艺设备：电子束光刻设备、MA6/BA6双面光刻机、激光直写设备、纳米压印机、步进式光刻机；分别用于硅、氧化硅、金属和III-V族半导体材料刻蚀的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀设备；电子束金属蒸发设备、离子束溅射镀膜设备、磁控溅射设备、等离子增强化学气相淀积系统（PECVD）、低压增强化学气相淀积系统（LPCVD）、原子层沉积设备（ALD）、高密度等离子体沉积系统；离子注入系统、氧化及合金设备、晶片键合设备等。

工艺测试设备和仪器：透射电子显微镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）、双束电镜系统（FIB）、椭偏仪、光波导器件自动对准耦合测试系统、分光光度计、台阶仪、应力仪、低温微波探针台、网络分析仪、半导体参数测试仪、MEMS可靠性及频谱特性测试设备、太阳能电池测试仪器等。

半导体材料测试表征仪器：高分辨X射线衍射仪、光致发光光谱仪、低温霍尔测试系统，等。

中心还可以进行如下分析测试：X射线光电子能谱（XPS），UPS，X-CT，开尔文探针（KPFM），微光显微镜（EMMI），荧光光谱，等。