1

电子束曝光

纳米级图形光刻；最高加速电压100kV；最小线宽分辨率8nm；拼接精度20nm；套刻精度9nm

2

紫外光刻

具备匀胶、曝光、显影、烘烤、去胶等全套光刻工艺手段；可以双面曝光；可刻各种规则和不规则的基片，最大基片尺寸6"，分辨率0.5μm；最小线宽1μm

3

匀胶

可以对规则和不规则的基片涂胶并保证较厚均匀没有厚胶边；

最大基片直径6英寸,转数1000-5000rpm

4

等离子去胶

使用氧等离子体对光刻后残胶进行去除，也可对其他无污染有机物进行刻蚀或表面处理；

工作频率：2.45GHz；

最大功率：1000W；

最长工艺时间：9999秒

5

直写式光刻

光刻版制备，曝光面积：5´5英寸，最小图形尺寸2μm以上；灰度曝光

6

SiO₂、SiN刻蚀

刻蚀速率：＞250nm/min；

选择比：光刻胶＞4:1；多晶硅＞15:1；

均匀性和重复性：＜±5%；

侧壁与底面夹角：＞88°

7

SiC刻蚀

刻蚀速率：＞200nm/min；

选择比：Ni＞30:1；

侧壁与底面夹角：＞80°

8

深硅刻蚀(ICP)

最大刻蚀深度大于600微米；刻蚀均匀性±<2.5%；常规多步硅刻蚀速率为5 到10 μm/min，最高可达18μm/min； 硅/二氧化硅刻蚀选择比：>150:1，硅/光刻胶刻蚀选择比：>50:1，侧壁与底面夹角：90°±1°

9

金属干法刻蚀

可以进行Al、Ni、Cr、Cu等多种金属刻蚀

10

Ⅲ-Ⅴ族 ICP

刻蚀GaN、GaAs、InP等多种化合物及多元化合物；

二氧化硅掩膜刻蚀选择比：4:1~10:1；

侧壁与底面夹角：>85°

11

气态HF释放

可加工样品尺寸：≤8英寸；片内均匀性：小于10%

12

激光打孔

皮秒激光精密打孔，功率<5W；最小孔径：入口100μm，出口80μm(glass@300μm)；

13

热氧化

在硅片上高温氧化形成SiO₂薄膜；

可以采用干氧、湿氧或干湿氧结合的方式；质量优异，厚度均匀，无针孔和空隙

14

LPCVD 多晶硅

低压化学汽相沉积多晶硅膜，可以进行B、P掺杂

15

LPCVD SiN

低压化学汽相沉积氮化硅膜；

片与片间厚度均匀性：<3%；

片内折射率均匀性：<0.03%

16

离子束溅射镀膜

制备光学介质膜，成膜质量高，粘附性好，有SiO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂等多种靶材；

膜厚精确度：﹤±1.5%；中心波长膜厚度均匀性：3英寸范围内﹤±0.5%；增透膜：对关键激光波长，如633nm、1300nm等；反射率﹤0.25%；低损耗：﹤100ppm；

备有专业的光学薄膜设计软件

17

非掺杂PECVD

可沉积SiO₂厚度：十几纳米~十几微米；

可以淀积低应力SiN和SiON等介质膜；

淀积速率：> 150nm / min (SiO₂)；>100nm/min   (SiN)；

均匀性和重复性：<±5%

18

掺杂PECVD

可以淀积掺Ge SiO₂、BSG、PSG和BPSG；

结合退火后，淀积厚度超过20um

19

ICP-CVD

可低温沉积沉积SiO₂、SiN薄膜；常规衬底温度120℃；淀积速率≥20nm/min

20

电子束蒸发1

一次可蒸镀12片4英寸片；可蒸金属： Ti、Al等

21

电子束蒸发2

每一次工艺可以蒸发四种不同金属材料；Lift-off工艺一次可以蒸镀18片2"圆片；Step-coverage工艺一次可以蒸镀36片2"圆片；工艺的均匀性和重复性±5％；

22

电子束蒸发3

一次可蒸镀22片4"片；

可蒸金属：Cu、Cr、Ni、Ti、Ge、Al、Ag、Sn、In、Zn、Pd、Au、Pt

23

磁控溅射1

主要用于常规金属的溅射沉积。目前靶材有Ti、Pt、Au、Al、Co、Ni、Fe、Ni80Fe20、Cu、W、TiN、Ta、Cr、WTi。

片内及片间均匀性小于5% 

24

原子层沉积

最大样品尺寸：直径200mm，高6.4mm；沉积A_l2O₃、HfO₂、TiO₂

25

基片清洗

各种有机清洗，硫酸+双氧水，C处理，等

26

KOH腐蚀

湿法腐蚀Si

27

TMAH腐蚀

湿法腐蚀Si

28

无机酸腐蚀

多种材料腐蚀

29

Lift-off剥离

金属蒸发剥离

30

离子注入

1) 可注入4"及以下尺寸的基片；2)   杂质元素：硼、磷、砷；3) 离子束能量：33 keV – 130 keV；4)   4"片注入片间均匀性优于±0.5%；5) 配有离子注入工艺仿真软件，可较快实现设计目标。

31

高能离子注入

可注入60多种元素，多倾角，衬底尺寸：4"及以下，加热温度：500^oC及以下，注入能量：15keV–550keV

32

快速退火(灯)

低于1100℃，N₂保护

33

普通退火

炉管式较长时间退火；最高温度1050℃。

34

兆声清洗

基片清洗和预键合

工作频率：2.45GHz；

清洗基片尺寸：2"和4"；

最长清洗时间：999秒

35

Wafer   键合

具备阳极键合功能；

硅片厚度：0.10~4.0mm；

最大电压：2000V；最大电流：10mA；压力范围：0-5000mbar；最高温度：500℃；温度均匀性：±5K

36

砂轮划片

范围：硅片，玻璃片；

不大于4"圆片；

划切硅片的刀痕50μm，玻璃及陶瓷片的划痕250um

37

光纤阵列耦合

光纤参数：SM-9/125紧套光纤、光纤前端为磨锥透镜光纤，夹角=35º，r=7-8µm；调节精度：最小步长=0.05µm   6维调节（距离较近时2维调节）

38

耦合、测试

测试波长范围：1510-1640nm；最小步长=1.0pm

39

粘片及压焊

金丝压焊，

温度：室温~100℃；

金丝直径：25μm；

焊点面积：100um´100um；

焊点最小间距：60μm；

两个焊点最大距离：1cm；

样片最大尺寸：直径100mm

40

倒装焊

定位精度：±1μm；

互连后精度：±1-3μm；

键合压力：0.6-2000N精确可调；

温控范围：室温～450℃;

压焊材料: Au,In，其他

41

聚焦离子束(FIB)

最高加速电压：30 kV；

离子束分辨率：2.5nm@30kV；

电子束分辨率：0.7nm@30kV；

样品尺寸：最大4"

42

扫描电镜(SEM)

主要用于研究各种样品的细微结构、表面形貌、成分分析，等。

加速电压:200V-30kV；

放大倍数:最大1,000,000´；

最高分辨率：1nm

43

台阶仪

进行台面高度测量

Z方向测量高度：1mm；

Z方向分辨率：0.1nm；

X、Y行程：150mm；

具备测量薄膜应力功能

44

椭偏仪

光谱型，具有自动多点面扫描功能；

光谱范围：195nm~1680nm；

入射角：45到90连续自动可变；

基片面积：150´150mm²

45

棱镜耦合仪

测量厚度1微米以上的介质膜。

光源波长：632.8nm；

厚度准确度：1nm；

折射率准确度：0.0001

46

应力测试仪

双光源扫描(670nm和780nm)，系统可自动选择最佳匹配的激光源；样片尺寸：4寸、6寸、8寸整片；重复性≤±2MPa

47

分光光度计

全波长：175——3300nm

最小样片尺寸：20×20mm²

48

四探针测试

样片大小：5mm-6英寸测量范围：电阻率：10^-4－10⁵Ω.cm 电导率：10^-5－10⁴ s/cm 方块电阻：10^-3－10⁶Ω/□

49

太阳电池测试

AM1.5 标准光源，可进行太阳电池IV/PV及量子效率测试，

光束尺寸：4"×4"；

光束均匀性：±5%

50

半导体测试仪

半导体器件IV测试，三组独立测量源，可以测量两端、三端和四端器件；该系统还配有脉冲信号源，可对存储器、探测器等进行测试。

51

低温探针台

可在4K至室温下测试器件的I-V/C-V等特性。

52

三维立体显微镜

放大倍率：108~17280；

平面重复性：100x: 3 sn-1=0.02 µm；

Z方向显示分辨率：1nm

53

原子力显微镜(AFM)

150 mm´150 mm可观测范围，可编程的多点测试；

连续扫面最大面积：100´100mm；

高度最大起伏：11 mm；

接触模式、敲击模式等多种功能模式可选用；

平面内精度优于0.5 nm，高度方向精度优于0.2 nm；

6"圆形真空吸盘，样品最大厚度可达40 mm

54

光学显微镜

多台套奥林巴斯及尼康光学显微镜，配备相应控制分析软件，最高放大倍数1000倍。

55

工艺流程

各种半导体器件工艺流程设计与实施。

1

X射线显微镜（XRM）

无损伤地对样品进行亚微米至微米级空间分辨率的三维成像，可获得样品的三维组织形貌。

（1）分辨率优于300nm；

（2）最大可测样品直径≥300mm；

（3）能够自动对样品多个(>20)不同区域进行三维成像扫描和重构。

2

激光诱导显微镜（EMMI）

探测电路发出的微弱的光子和激光刺激引起的回路电信号变化的方式来定位电路的失效点并通过图像的方式呈现出来。

（1）侦测波长范围：900 ~ 1700nm；

（2）探测器像素：640×512；

（3）激光：波长1340nm，功率≥500mW。

3

X光电子能谱（XPS）

半导体、金属及光刻胶等各类材料表面几个原子层的化学组成、价态深度剖析及成像、功函数特性的分析与表征。

（1）能量分辨率≤0.5 eV；

（2）计数率≥6.5Mcps；

（3）极限真空度，优于5×10^-9   mbar。

4

高分辨快速扫描原子力显微镜（AFM）

（1）X,Y轴最高可达扫描范围100μm×100μm，Z轴扫描范围12μm；

（2）轻敲模式，接触模式，AM-FM模式，KPFM模式（开尔文探针显微镜），MFM模式（磁力显微镜），SCM模式（扫描电容显微镜），EFM模式（静电力显微镜）。

5

扫描电子显微镜（SEM）

（1）分辨率：≤0.7 nm@15kV（SE探测器），≤1.2 nm@1kV（SE探测器）；

（2）加速电压：0.02kV～30kV；

（3）大面积图像采集功能，可快速实现高分辨大面积数据采集和自动拼接。

6

聚焦离子束系统（FIB）

制备微纳结构，高质量定点TEM 样品制备。

（1）离子束系统分辨率：2.5nm @ 30kV；加速电压：0.5kV-30 kV；最小束流强度： 1pA - 100nA；

（2）配备W沉积、C沉积、Pt沉积、绝缘气体刻蚀气体、增强刻蚀气体注入系统，适用于金属 Al 增强刻蚀。

7

X射线衍射

能够精确地对金属和非金属多晶样品进行物相定性定量分析结晶度分析、晶胞参数计算和固溶体分析、微观应力及晶粒大小分析、微区分析，微量样品分析。能量分辨率12.5%。

8

椭圆偏振光谱

应用于测量各类薄膜的膜厚及光学参数（n，k），具有对单层膜、多层膜等材料具有光学性能的分析能力，测量膜厚范围可从单原子层至微米量级。光谱范围覆盖190~ 2100nm

9

共聚焦拉曼光谱

能够实现微区拉曼光谱、光致发光谱和多功能光谱的采集以及mapping成像等功能。

（1）配备325nm、532nm、785nm三种激光器；

（2）光谱分辨率≤0.7cm^-1（585nm氖灯线半高宽），≤0.4cm^-1（837nm氖灯线半高宽）。

10

稳态瞬态荧光光谱

激发谱、发射谱、同步谱、三维光谱、动力学扫描，绝对荧光量子效率测试，荧光寿命测试，变温测试（3K-300K），固体样品吸收及反射测试，电致发光EL测试，波长范围：200-1700nm。