应广大用户要求，集成技术中心将针对薄膜淀积与干法刻蚀两项技术安排专题报告会。届时将由具有多年薄膜及刻蚀工艺经验的老师主讲，介绍关键设备、工艺及技巧，面对面与用户交流。薄膜淀积与刻蚀是半导体工艺中的两大关键技术，涉及到各类器件的研发；本次报告能帮助大家快速了解和掌握相关技术。报告会安排如下：

     时间：2014年10月31日（星期五）上午9:00

    地点：半导体所学术会议中心

    日程：

    9:00-9:30薄膜淀积技术，报告人：王晓峰

    9:30-10:00 PECVD与ICP机理介绍，报告人：李艳

    10:00-10:30 关键设备及其技术特点，报告人：常春

    10:30-11:00 ICP刻蚀（Si、III-V、金属，等）技术与应用，报告人：胡传贤/刘庆

    11:00-11:30 交流讨论 

欢迎各位老师及研究生积极参加交流! 

    集成技术中心 

    2014-10-27