由英国牛津仪器公司(Oxford Instruments, Plasma-technology)主办、中科院半导体研究所协办的“纳米尺度等离子体工艺”研讨会将于2013年5月14日在北京中关村皇冠假日酒店(北京市海淀区知春路106号，电话010-5993 8888)举行。

会议内容包括原子层沉积(ALD)、MEMS深硅和纳米低温ICP刻蚀、III-V族ICP刻蚀、GaN/蓝宝石/AlGaInP刻蚀、离子束刻蚀与沉积、3D封装、HBLED制造等目前的热点领域。

欢迎感兴趣的老师及研究生积极报名参加，注册免费。人数有限，请提前预定。所内联系人：沈清，电话：82305142，E-mail:shenqing@semi.ac.cn。

会议日程安排

9.00-9.15 注册

9.15-9.30 欢迎辞及牛津仪器介绍牛津仪器 - Frazer Anderson

9.30-10.00 中科院半导体所介绍中科院半导体所 - 杨富华教授

10.00-10.30 MEMS 深硅刻蚀及纳米低温刻蚀牛津仪器 - Mark McNie

10.30-11.00 茶歇

11.00-11.30 ALD 原子层沉积系统及其应用牛津仪器 - Mike Cooke 博士

11.30-12.15 功率器件工艺Guest speaker

12.15 -12.45 III-V 族刻蚀牛津仪器 – 邓丽刚博士

12.45 -13.45 午餐

13.45-14.15 PlasmaPro1000 Astrea: GaN, Sapphire, AlGaInP Etch 牛津仪器 – Mark Dineen 博士

14.15-14.45 Ion Beam 在刻蚀及沉积方面的发展牛津仪器 – 梁杰荣博士

14.45-15.00 茶歇

15.00 -15.45 3D器件包装Guest speaker: ITRI, Taiwan

15.45-16.30 Ion Beam Optofab3000 离子束沉积的应用中科院半导体所 – 王晓东教授

16.30-17.00 问答及闭幕牛津仪器