2013年12月20日集成技术中心在3号楼320会议室召开了年终工作总结会，会议由副主任王晓东老师主持。首先，杨富华老师简要介绍了半导体所廊坊园区建设情况和集成技术中心争取经费的情况，然后勉励大家要增强责任感，通过总结把下一步工作规划好、落实好。然后，三十多名中心职工分别汇报了本年度的工作情况，包括光刻、电子束光刻、ICP刻蚀、介质膜沉积及溅射、金属蒸发退火、氧化、离子注入等一系列技术进展，相关同志还对承担的国家科技项目、企业合作项目和所外加工项目做了汇报。2013年度集成技术中心取得了多项具有特色的技术研发进展，包括蝶形结构MEMS陀螺仪、用于癌症早诊的微纳生化传感器、射频MEMS振荡器、量子效应硅纳米线晶体管、硅基纳米热电器件、高压肖特基二极管、压力传感器、图形衬底技术等。 

    2013年中心的设备仪器在满足所内以及区域中心和科学院研究试验工作的基础上，加大提供公共服务的力度，在保证完成科研服务的基础上努力提高仪器设备的社会效益，为更多的顾客提供需要的技术支持和服务。全部开放设备安装了刷卡系统，加强了预约设备的规范化管理，提高了服务机时统计的效率。全部设备的使用总机时超过7万小时，所内各个部门的使用时间占了50%以上。中心培训所内外用户150多人，完成所外54所高校及科研院所和14家企业的技术服务工作，接待大量的工艺线参观和技术咨询。2013年6月中心被认定为北京市工程技术中心，并加入了海淀区公共研发测试服务平台。2013年11月组织承办了在南京举行的“第三届全国纳米结构器件研讨会”，有130多位知名专家学者参加。2013年，中心新增了PECVD等设备，发表SCI论文13篇，申请专利21项，出版图书3本。

    2014年中心将着力加强设备维护和工艺线安全保障；继续推进设备共享开放和用户技术培训的规范化工作；通过执行专项技术开发项目，提高面向所内外用户服务的技术水平；通过开放性平台、举办会议和媒体宣传，扩大中心技术服务的影响力。