【中国科学报】科研构想“加工厂”
时间：2013-12-18
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——走进中科院半导体所半导体集成技术工程研究中心
半导体集成技术工程研究中心实验场景
“憋闷，我要呼吸新鲜空气！”
近日，中科院半导体所半导体集成技术工程研究中心（以下简称“中心”）副主任王晓东带领《中国科学报》记者参观了中心实验室。无尘衣、无尘鞋、发罩、口罩——在完成进入前的一系列换装后，被“全副武装”起来的记者产生了这种强烈的感觉。
王晓东提醒说：“进入实验室的空气必须经过净化，新风的进入量也要限定。因此，在实验室待久了，可能会轻微缺氧。”
全副装备加上轻微缺氧，中心人员就是在这样的环境中日复一日地工作着。“习惯了”是他们一致的感受。
该中心在介质厚膜淀积方面居于世界领先水平。沉积氧化硅/氮化硅的过程被称为“长膜”，就是把不同的材料在半导体衬底上淀积，然后利用刻蚀等技术实现图形化。在PECVD介质膜淀积、刻蚀设备旁，记者看到工作人员常春正在刻蚀氧化硅，同时对每一炉刻蚀成品作详细记录。
“每天的工作量有多大？”尽管实验室里的设备没有全部运行，但噪声已经很大。因此，记者问话时不得不调高嗓门。
“一天要长几十炉。一炉快则20分钟左右，慢则1个小时，有时吃午饭时间都紧张。”常春说。
常春承担的任务量是所有工序中比较大的，这样的工作他已做了4年。
“常春是我们这里的优秀员工。”王晓东向记者介绍说。
尽管是上下级，但记者注意到，他们竟然互称“哥们儿”。
“和谐的氛围是我们待在这里的最主要原因之一。”常春说，自己所在团队的和谐氛围在半导体所小有名气。
这种氛围在王晓东的博士同学、研究员韩伟华身上更为突出。
“既有哥们儿，又是同学，团队很有感情啊！”听到记者的话，两人哈哈大笑起来。这种笑声同时感染了电子束光刻设备旁正在接受操作培训的学生。
作为中心八位研究员之一，韩伟华在完成工程支撑的工作外，还从事基于飞秒激光光刻的GaN基HEMT器件和硅纳米线晶体管的研发。“今年在《应用物理快报》和《IEEE电子器件快报》等杂志上都发表了文章。”韩伟华说，加工服务是主业，但还须与科研结合，才能推动技术进步。
中心作为半导体所公共技术服务中心，是一个综合性的半导体工艺技术加工平台，首要任务是为研究所提供有力的半导体工艺技术支撑。王晓东说，由于长期的技术和经验积累，中心在中科院科研支撑体系中发挥了重要作用。
砷化镓等化合物半导体刻蚀是该中心比较有特色的服务之一。该项工作的负责人胡传贤告诉记者，化合物半导体材料比较复杂，刻蚀时需要探索适宜的条件，不同材料对刻蚀条件、工艺参数的设置都不同。
他向记者展示了一个正在加工的订单：一个激光器的刻蚀需求。“总共有十几层材料，每一层材料的成分和厚度都不同，要求完全刻穿，只留小于250纳米的电极层。”经过尝试，胡传贤实现了订单需求，刻穿了上面3微米的化合物，只剩下200纳米左右用来沉积金属。
“接单实际上就是接受了一堆想法，我们通过工艺将想法变成现实。”胡传贤将此定义为，“尽量帮助科研人员实现科研构想”。
据介绍，这是中心比较有代表性的工作，也集中体现了平台的支撑作用。半导体所在半导体材料方面颇具优势，而这些基础研究的优势，正是通过支撑平台的工艺技术才能得以体现。
这正应了记者采访前获知的信息：半导体集成技术工程研究中心“是一个奉献的团队”。
（原载于《中国科学报》 2013-12-18 第1版 要闻)
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