2012年1月13日集成技术中心在3号楼307会议室召开2011年度工作报告会。二十多名中心职工报告了本年度的工作情况，包括光刻、电子束光刻、ICP刻蚀、介质膜沉积及溅射、金属蒸发退火、氧化、离子注入等等一系列技术进展，相关同志还对承担的国家科技项目和所外加工项目做了汇报。

     2011年度集成技术中心在立足于半导体所所内加工服务的基础上，先后为21个国内研究机构、41所大学及相关企业提供了工艺服务，全部仪器设备总使用时间达到了7.6万小时，其中共享机时约占85%，同时还新增了硅/氧化硅ICP刻蚀设备、磁控溅射设备和SEM设备，升级改造了离子注入设备。

     2011年度集成技术中心取得了多项具有特色的技术研发进展，包括飞秒激光光刻技术制备多种纳米结构器件、自对准及侧墙工艺制备纳米相变存储器、纳米结构陷光太阳能电池、新型微纳谐振子的生化传感器、高Q值的可集成MEMS滤波器等。

     2011年度集成技术中心开发了多种工艺方法，包括晶片图形衬底制备技术、高深宽比纳米结构的ICP刻蚀工艺、控制多种光刻胶胶边形貌的特殊光刻工艺、超薄层金属蒸发剥离技术、直写光刻机制版技术、高重复率高均匀度的介质膜沉积技术等。

  最后，杨富华主任对2012年的工作进行了安排和部署，对每位职工提出了新的要求，并对集成技术中心未来的发展做了展望。