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集成技术中心圆满举办半导体工艺技术研讨会

时间:2011-05-17

2011年5月16日下午1:30分,集成技术中心在所学术沙龙室举办半导体工艺技术研讨会,研讨会由集成技术中心主任杨富华研究员主持,集成技术中心职工陈燕凌研究员,韩伟华研究员,王晓东研究员,樊中朝副研究员,李艳副研究员,王晓峰副研究员,李建明副研究员,赵永梅博士分别在会上作了关于光刻、电子束曝光,离子束溅射,刻蚀,PECVD,金属蒸发,离子注入等单项工艺技术以及半导体光电器件集成技术的成功和失败案例分析的报告。

 
此次工艺研讨会的目的是结合实际工作经验,促进工艺技术的沟通与交流,让所内人员对集成技术中心的工艺能力有更加深刻的理解,同时对半导体工艺技术面临的问题、解决办法和下一步的发展思路进行积极探讨。研究所内大约有70人参加了此次研讨会。