集成技术中心4月21日下午1：30在3号楼320会议室召开了电子束曝光研讨会，同学们将一年以来利用电子束曝光、ICP刻蚀等相关设备取得的成果进行了介绍。其中，肖希同学报告了一种Gbit以上速率传输的SOI(绝缘体上的硅)光开关，该器件采用微环谐振腔结构，实现了大于10Gb/s非归零电学信号到光学信号的转换，该芯片的研发成功代表着我国硅基光互连系统的研制向国际先进水平前进了一大步。会上同学们对器件及模块集成工艺进行了深入的探讨。新用户对纳米加工工艺也有了进一步的认识，为下面的科研工作做好铺垫。

报告的题目如下：  

肖希：SOI基微纳波导器件的制作

周亮：用HSQ胶制作光栅耦合器与Mach-Zehnder电光调制器

朱宇：SOI光栅耦合器的制作与测试

张家顺：硅纳米AWG波导器件的制作

尹小杰：基于微环的ROADM的研制

王颖：SOI衬底的纳米结构晶体管的研究

张严波：利用电子束光刻制作硅纳米线晶体管