半导体集成技术工程研究中心定于2008年12月18日上午在所学术会议中心进行技术报告研讨会，内容涉及先进半导体设备和工艺的知识和技能。每个报告15分钟，提问5分钟。欢迎广大科研人员和研究生参加。

时间 内容 报告人
8:30-8:40 所领导讲话
8:40-9:00 等离子体原理与应用 杨富华
9:00-9:20 光刻技术 陈燕凌
9:20-9:40 电子束光刻技术 韩伟华
9:40-10:00 硅、III-V族ICP刻蚀技术 樊中朝
10:00-10:10 休息
10:10-10:30 电子束蒸发技术 季安
10:30-10:50 离子束溅射镀膜技术 王晓东
10:50-11:10 PECVD、AOE设备与工艺 李艳
11:10-11:30 硅工艺加工技术 宁谨