科技成果
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专利

时间:2012-11-18

序号

第一发明人

 

专利号

  1.  

韩伟华

硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法

201110124310.0

  1.  

韩伟华

高性能聚光硅纳米孔阵列太阳能电池及其制备方法

201110435947.1

  1.  

韩伟华

一种神经元电路中利用时间编码控制权重和信息空间整合的方法

201010201589.3

  1.  

韩伟华

基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路

200910091405.x

  1.  

韩伟华

硅基单电子神经元量子电路

200710120102.7

  1.  

韩伟华

围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法

200710119835.9

  1.  

韩伟华

具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法

200710119834.4

  1.  

韩伟华

一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法

200610114189

  1.  

韩伟华

通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法

200510086640

  1.  

杜彦东

SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及其制作方法

201110392863.4

  1.  

张严波

一种无PN结的围栅鳍状沟道晶体管及其制造方法

201110241106.7

  1.  

李小明

一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管结构设计及制备方法

201210408617.8

  1.  

颜伟

利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法

201010605875.6

  1.  

熊莹

具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络发明

201010231216.0

  1.  

王颖

环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法

200710304255.7

  1.  

杨香

依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法

200810224109.8

  1.  

张加勇

一种纳米尺寸相变存储器的制作

方法

200810240934.7

  1.  

张加勇

一种制作纳米尺寸相变存储器的

方法

200810240935.1

  1.  

张加勇

一种平面相变存储器

的制备方法

201010115649.X

  1.  

张加勇

垂直相变存储器的制

备方法

201010113827.5

  1.  

张加勇

制作纳米管道的方法

200910087127.0

  1.  

张加勇

制作纳米尺寸间距的电极的方法

200910087128.5

  1.  

张加勇

纳流体测试器件的制备方法

200910237086.9

  1.  

张加勇

纳流体晶体管的制备方法

200910237096.2

  1.  

张加勇

纳流体测试器件的制备方法

201010034281.4

  1.  

张加勇

垂直相变存储器及制备方法

201010256816.2

  1.  

张加勇

垂直相变存储器及制备方法

201010256828.5

  1.  

张加勇

平面相变存储器的制备方法

201010283557.2

  1.  

张加勇

平面相变存储器的制备方法

201010520209.2

  1.  

张加勇

一种平面相变存储器的制备方法

201010531375.2

  1.  

田晓莉

一种制作纳米尺寸相变存储器的方法

200810240931.3

  1.  

王晓峰

一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的

制备方法

200910091398.3

  1.  

王晓峰

应用于导电桥存储器的纳米尺寸金

属插塞电极阵列的制作方法

200910091406.4

  1.  

马慧莉

相变存储器的制备方法

201010263081.6

  1.  

程凯芳

一种高密度相变存储器的制备方法

201010139053.3

  1.  

付英春

一种可以实现多种柔性薄膜在玻璃基底上有效粘附的方法

201110389683.0.

  1.  

付英春

通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法

201210088596.6

  1.  

付英春

通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法

201210077661.5

  1.  

付英春

与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法

201210088406.0

  1.  

H. J. Hug, B. W. Hoogenboom, S. Martin, and J. L. Yang

Cantilever Assembly, World Intellectual Property Organization PCT Patent

WO 2005/043551, May 12, 2005

  1.  

B. W. Hoogenboom, J. L. Yang

Cantilever assembly and process of manufacturing the same

European Patent Application, 08003535.5, Apr. 11, 2004

  1.  

B. W. Hoogenboom, J. L. Yang,

Cantilever assembly and process of manufacturing the same

European Patent Application, 08003536.3, Apr. 11, 2004

  1.  

B. W. Hoogenboom, J. L. Yang

Cantilever assembly, European Patent Application

03025187.0, Apr. 11, 2003

  1.  

杨晋玲

微机电系统薄膜材料力学性能与可靠性测试方法和装置

200810100952.5

  1.  

杨晋玲

微机电系统机械组元可靠性评估的测试装置及方法

200910078562.7

  1.  

杨晋玲

适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片

200920106986.5

  1.  

杨晋玲

采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法

200910081983.5

  1.  

杨晋玲

一种超高真空多功能综合测试系统

201010171385.X

  1.  

杨晋玲

一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法

201010235870.9

  1.  

杨晋玲

大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法

201010235859.2

  1.  

毛旭

基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法

201010601975.1

  1.  

张逢新

基于光压效应的红外光子探测方法

201110096643.7

  1.  

郑海洋

用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法

201110346268.7

  1.  

毛旭

一种提高光刻胶曝光精度的方法

201110344422.7

  1.  

毛旭

基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置

201110343625.4

  1.  

朱银芳

一种快速射频微机械开关

201210105187.2

  1.  

杨晋玲

基于谐振式微悬臂梁结构的新型高灵敏生化传感器

201210243513.6

  1.  

毛旭

基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法

201010601975.1

  1.  

毛旭

一种提高光刻胶曝光精度的方法

201110344422.7

  1.  

毛旭

基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置

201110343625.4

  1.  

朱银芳

一种快速射频微机械开关利

201210105187.2

  1.  

张福学,毛旭

硅微机械陀螺

200410029089.0

  1.  

张福学,毛 旭

载体驱动式硅微机械陀螺

200410029228.X

  1.  

张福学,毛 旭

抗冲击硅微机械陀螺

200510134857.3

  1.  

张福学,毛 旭

二维硅微机械陀螺

200510134858.8

  1.  

司朝伟

基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器

201210051847.3

  1.  

司朝伟

采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路

201210052015.3

  1.  

宁瑾

基于谐振原理工作的MEMS滤波器模块

201010534603.1

  1.  

韩国威

基于差分方法的MEMS器件信号检测电路

201010564525.X

  1.  

王亮

多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法

200710178327.8

  1.  

刘雯

一种新的砷化镓太阳电池的帽层选择性腐蚀液

200910237097.7

  1.  

刘雯

GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法

201110440640.0

  1.  

李越强

高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法

200910091632.2

  1.  

李越强

一种基于自组织量子点的储存器及其制备方法

201010520266.0

  1.  

徐晓娜

利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法

201010283562.3

  1.  

徐锐

半导体太阳电池表面的多层金属纳米颗粒结构及制备方法

201210311033.9