为进一步拓展刻蚀工艺加工能力，更好地服务于所内外各用户，集成技术中心购置一台Oxford RIE 100干法刻蚀设备，主要用于6寸及以下衬底上介质膜氧化硅和氮化硅材料的干法刻蚀。与中心拥有的STS AOE刻蚀设备相比，RIE设备在精细线条控制、薄层介质膜刻蚀和不规则小片的无油刻蚀方面具有独特优势。

目前，RIE设备上可以实现：

（1）氧化硅材料的刻蚀速率为25-50nm/min，氮化硅材料的刻蚀速率为100-150nm/min，刻蚀陡直度可以达到85^o以上，选择比大于4:1。

（2）无油刻蚀工艺。

（3）电子束曝光图形的纳米级精细线条刻蚀，与电子束胶Zep520A的选择比大于1:1。

为响应广大用户的要求，提高实验效率，集成技术中心现决定对RIE刻蚀设备开放试运行。有相关工艺需求的职工、学生可以联系设备负责人进行相应加工，对于使用频繁、用量较大的用户经申请可以进行培训，在培训考核合格后可以自行完成工艺。

联系人：赵永梅，电话5405，Email：ymzhao@semi.ac.cn。